Descripción:
Los transistores MOSFET de potencia canal N de la serie 2N60 a 20N60 son dispositivos semiconductores diseñados para manejar altas tensiones y corrientes, ideales para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
Características:
El número antes de la "N" representa la corriente máxima en amperios.
El número después de la "N" indica el voltaje máximo en drenaje a fuente (Vds) en centenas de voltios.
Tipo de MOSFET: Canal N.
Tensión de Drenaje a Fuente (Vds): 600V (para todos los modelos).
Corriente de Drenaje (Id): Varía según el modelo:
2N60: 2A
4N60: 4A
5N60: 5A
10N60: 10A
12N60: 12A
20N60: 20A
Resistencia de encendido (Rds(on)): Baja, para minimizar las pérdidas.
Frecuencia de conmutación: Ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
Diseño robusto: Alta capacidad de disipación de calor y resistencia a picos de corriente.
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Resistencias de Filamento de Carbón 2W 1 Valor (5 Unidades)
capacitores Ceramicos 630V ( elegir dos valores) entre 0.007uf y 0.47uf
Fusible Ceramico 0.1-30A 250V 5X20 MM (1U)
Fusible de Vidrio de Soplado Rápido 250 V, 0,5 A, 1 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 6 A, 7A, 8A, 10A, 15A, 20A.
Escoger un valor:
Diodo rectificador ultra fast recovery MUR3060PT 600V 30A TO-247 TO-3P
Escoger 1 valor
Fusible 250 V, 0,1 A, 0,25 A, 0,2 A, 0,5 A, 1 A, 1,5 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 8A, 10A, 12A, 15A, 20A, 15A, 20A
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
