Descripción:
Los transistores MOSFET de potencia canal N de la serie 2N60 a 20N60 son dispositivos semiconductores diseñados para manejar altas tensiones y corrientes, ideales para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
Características:
El número antes de la "N" representa la corriente máxima en amperios.
El número después de la "N" indica el voltaje máximo en drenaje a fuente (Vds) en centenas de voltios.
Tipo de MOSFET: Canal N.
Tensión de Drenaje a Fuente (Vds): 600V (para todos los modelos).
Corriente de Drenaje (Id): Varía según el modelo:
2N60: 2A
4N60: 4A
5N60: 5A
10N60: 10A
12N60: 12A
20N60: 20A
Resistencia de encendido (Rds(on)): Baja, para minimizar las pérdidas.
Frecuencia de conmutación: Ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
Diseño robusto: Alta capacidad de disipación de calor y resistencia a picos de corriente.
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Resistencias de cemento de 10W de varios valores
Resistencias de Filamento de Carbón 2W 1 Valor (5 Unidades)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
capacitores Ceramicos 630V ( elegir dos valores) entre 0.007uf y 0.47uf
Fusible Ceramico 0.1-30A 250V 5X20 MM (1U)
Fusible de Vidrio de Soplado Rápido 250 V, 0,5 A, 1 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 6 A, 7A, 8A, 10A, 15A, 20A.
Escoger un valor:
Diodo rectificador ultra fast recovery MUR3060PT 600V 30A TO-247 TO-3P
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
