Descripción:
El NJW0302G es un transistor de potencia bipolar PNP complementario con linealidad de ganancia superior y rendimiento de área de operación segura. Este transistor es ideal para etapas de salida de amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales.
Complementa al NJW0281G
Área de operación segura excepcional
Compensación de ganancia por debajo del 10% de 50mA a 3A
Excelente linealidad de ganancia
Alta BVCEO
Alta Frecuencia
Rendimiento fiable a potencias elevadas
Reproducción precisa de señal de entrada
Rango dinámico superior
Alto ancho de banda de amplificador
Características:
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 250V
Corriente de Colector DC: 15A
Disipación de Potencia Pd: 150W
Encapsulado del Transistor: TO-3P
Montaje de Transistor: Orificio Pasante
Número de Pines: 3Pines
Frecuencia de Transición ft: 30MHz
Ganancia de Corriente DC hFE: 75hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Incluye:
1 x Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
