Descripción:
TIP2955 Transistor BJT PNP -60V / -15A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 90W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 100.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Características:
Tipo de Encapsulado: TO-247
Transistor complementario TIP3055
Transistor equivalente a NTE393
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
Voltaje Colector - Emisor (VCE): -60V
Voltaje Colector - Base (VCB): -100V
Voltaje Emisor - Base (VEB): -7V
Corriente Colector (IC): -15A
Corriente Base (IB): -7A
Potencia Máxima Disipada (PD): 90W
Ganancia Máxima (hFE): 100
Frecuencia de Trabajo (FT): 2.5 MHz
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor MOSFET IRF740PBF
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor de potencia TIP2955
