Descripción:
TIP2955 Transistor BJT PNP -60V / -15A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 90W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 100.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Características:
Tipo de Encapsulado: TO-247
Transistor complementario TIP3055
Transistor equivalente a NTE393
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
Voltaje Colector - Emisor (VCE): -60V
Voltaje Colector - Base (VCB): -100V
Voltaje Emisor - Base (VEB): -7V
Corriente Colector (IC): -15A
Corriente Base (IB): -7A
Potencia Máxima Disipada (PD): 90W
Ganancia Máxima (hFE): 100
Frecuencia de Trabajo (FT): 2.5 MHz
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de potencia TIP2955
