Descripción:
TIP2955 Transistor BJT PNP -60V / -15A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 90W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 100.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Características:
Tipo de Encapsulado: TO-247
Transistor complementario TIP3055
Transistor equivalente a NTE393
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
Voltaje Colector - Emisor (VCE): -60V
Voltaje Colector - Base (VCB): -100V
Voltaje Emisor - Base (VEB): -7V
Corriente Colector (IC): -15A
Corriente Base (IB): -7A
Potencia Máxima Disipada (PD): 90W
Ganancia Máxima (hFE): 100
Frecuencia de Trabajo (FT): 2.5 MHz
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor de potencia TIP2955
