Descripción:
El BPW34 DIP-2 es un fotodiodo de alta sensibilidad y rápida respuesta diseñado para la detección de luz en una amplia gama de aplicaciones. Con una sensibilidad espectral de 400 nm a 1100 nm, es ideal para detectar luz visible e infrarrojo cercano. El dispositivo cuenta con baja capacitancia, lo que permite velocidades de conmutación rápidas, haciéndolo adecuado para transmisión de datos de alta velocidad y sistemas de sensores ópticos. Su paquete compacto DIP-2 facilita la integración en circuitos. El BPW34 ofrece una respuesta lineal a las variaciones de intensidad de luz y se utiliza ampliamente en receptores de control remoto, fotómetros y sensores solares.
Características:
Rango de Sensibilidad Espectral: 400 nm a 1100 nm
Longitud de Onda Pico: 900 nm
Alta Sensibilidad
Tiempo de Respuesta Rápido
Baja Corriente Oscura
Baja Capacitancia
Área sensible a la radiación (en mm²): 7.5
Ángulo de media sensibilidad: φ = ± 65°
Voltaje Generado con LED Infrarrojo: Aproximadamente 0.5 VDC (con un LED de 940 nm).
Voltaje en Iluminación Fluorescente: Aproximadamente 250 mV en condiciones de luz brillante.
Corriente de Cortocircuito: Alcanza hasta 0.6 mA en condiciones de luz óptima.
Capacitancia: Aproximadamente 20 pF, lo que afecta la velocidad de respuesta del dispositivo.
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor MOSFET IRF740PBF
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
