Descripción:
Este tipo de MOSFET es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de potencia, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y amplificadores de audio clase D.
Características:
Tensión disruptiva (Vds): 200 V
Corriente de drenaje continua (Id): 65 A
Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 24 mΩ
Tensión entre puerta y fuente (Vgs): -30 V / +30 V
Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs th): 1.8 V
Carga de puerta (Qg): 70 nC
Disipación de potencia (Pd): 330 W
Modo de canal: Enhancement (modo de enriquecimiento)
Configuración: Single (único canal)
Tipo de transistor: N-Channel MOSFET
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Mini relé 5V 10A para PCB SRD-05VDC-SL-C
Regulador de Voltaje 78L05-15 SMD (SOT-89)
Base con soporte para Cautín.
Terminal para cable AWG 22-16 (rojo), 16-14 (azul) y 12-10 (amarillo) hembra y macho para empalme rápido (3 pares).
Escoger un tipo:
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Mosfet IRFB4227PBF
