Descripción:
Este tipo de MOSFET es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de potencia, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y amplificadores de audio clase D.
Características:
Tensión disruptiva (Vds): 200 V
Corriente de drenaje continua (Id): 65 A
Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 24 mΩ
Tensión entre puerta y fuente (Vgs): -30 V / +30 V
Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs th): 1.8 V
Carga de puerta (Qg): 70 nC
Disipación de potencia (Pd): 330 W
Modo de canal: Enhancement (modo de enriquecimiento)
Configuración: Single (único canal)
Tipo de transistor: N-Channel MOSFET
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Base con soporte para Cautín.
Mini relé 5V 10A para PCB SRD-05VDC-SL-C
Terminal para cable AWG 22-16 (rojo), 16-14 (azul) y 12-10 (amarillo) hembra y macho para empalme rápido (3 pares).
Escoger un tipo:
Regulador de Voltaje 78L05-15 SMD (SOT-89)
Mosfet IRFB4227PBF
