Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Descripcion:
Este transistor bipolar es de propósito general para circuitos de potencia. Se crea mediante procesos de epitaxia para crecer las capas semiconductoras de las que se compone y luego se encapsula en un package de metal.
El transistor 2n3055 se puede usar para circuitos de media potencia, es seguro, tiene una baja saturación entre el voltaje del colector-emisor, el empaquetado está disponible libre de plomo, tiene una ganancia de más de 70 hFE para corriente continua (lineal), el máximo voltaje que puede manejar o pasar a través del colector y emisor es de 60v para CC, igual que la máxima corriente que puede pasar a través del colector es de 15A en continua.
Para la base, los límites están en 7v (base-emisor) y 7A de corriente continua en ambos casos. En el caso del voltaje entre el colector y la base puede llegar a los 100v. Si atendemos a la temperatura a la que puede operar, el rango está entre los -65 a +200ºC. Por tanto, trabaja a extremas temperaturas sin problema, algo que no todos los dispositivos electrónicos toleran, especialmente si te fijas en la temperatura máxima soportada. Por cierto, en cuanto a disipación de potencia, llega a los 115W.
Caracteristicas:
Modelo: 2N3055
Polaridad: NPN
Frecuencia de operación: 3 MHz
Tensión colector-emisor máx .: 60 V
Voltaje de la base del emisor máx .: 7 V
Voltaje base-colector max: 100 V
Corriente continua del colector: 15 A
Potencia: 115 W
Temperatura máxima de funcionamiento: 200 ° C
Caso: TO-3
Montaje: THT
Contenido:
1 x Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
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