Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Descripción:
BD139 es un transistor NPN popular utilizado en una amplia variedad de circuitos electrónicos, debido a su alta corriente de colector y bajo costo, es un transistor ideal para ser utilizado en proyectos de electrónica educativa y también en electrónica comercial. Puede manejar cargas de hasta 1,5 A, lo cual es una buena característica debido a la cual puede manejar muchos componentes de alta corriente, como LED de alta potencia, relés de alta corriente, motores, etc. El emisor del colector y el voltaje de la base del colector también son muy altos, por lo tanto, pueden sobrevivir en un circuito electrónico que funciona con 80 voltios. La disipación del colector es de 12,5W por lo que también es ideal para utilizarlo en circuitos amplificadores de audio. El voltaje de saturación del transistor es de solo 0.5V.
BD139 es un buen transistor para usar en proyectos de electrónica educativa y de pasatiempos, por ejemplo, en circuitos analógicos, proyectos de arduino y otros proyectos de microcontroladores. Este transistor puede manejar cargas de hasta 1500mA, por lo tanto, puede manejar y controlar muchos equipos electrónicos a través de él. También se puede utilizar en electrónica comercial. Cuando se conduce una carga por encima de 200 mA, el transistor disipará el calor, por lo que es necesario utilizar un disipador de calor adecuado.
Para ejecutar con seguridad este transistor en su circuito o proyectos electrónicos, no opere este transistor con un voltaje superior a 80 V, no maneje una carga de más de 1,5 A o 1500 mA y use un disipador de calor adecuado con el transistor. Utilice también una resistencia de base adecuada para proporcionar la corriente de base requerida. La temperatura de supervivencia mínima y máxima de este transistor es de -55 a +150 centígrados, por lo tanto, no lo exponga a temperaturas superiores a +150 centígrados e inferiores a -55 centígrados.
Características / especificaciones técnicas:
Tipo de paquete: TO-126
Tipo de transistor: NPN
Corriente máxima de colector (IC): 1.5A
Voltaje máximo de colector-emisor (VCE): 80V
Voltaje máximo de la base del colector (VCB): 80 V
Voltaje máximo emisor-base (VEBO): 5V
Disipación máxima del colector (Pc): 12,5 vatios
Frecuencia máxima de transición (fT): 190 MHz
Ganancia de corriente CC mínima y máxima (hFE): 25 - 250
La temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento debe ser: -55 a +150 centígrados
Referencias específicas
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