Descripción:
El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A.
El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más. Puedes
Características:
Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 100V.
Corriente máxima de drenaje (Id): 14A (a 25 °C).
Potencia máxima disipada (Pd): 88W.
Voltaje de compuerta (Vgs): Hasta ±20V.
Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.16 Ω (máximo, típico a Vgs = 10V).
Encapsulado: TO-220, compatible con disipadores de calor.
C15D5 / BE4L4C6 / SPSC7A2
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