transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Descripcion:
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines). Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun asi, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se exiga el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacion maxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificacion (Hfe) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300.
Es un dispositivo, extremadamente rapido, muy util en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Ademas, puede ser utilizado en circuitos de amplificacion de señales bajas, inversor de estados logicos (TTL o CMOS), controlar reles y motores de baja potencias (3V), etc.
Caracteristicas:
Voltaje colector-emisor (VCE): 40Vdc
Corriente max. colector (IC max): 600mA
Factor amplicacion: 100 ~ 300
Frecuencia max. de trabajo: 250Khz
Temperatura de operacion: -55 ~ 125°C
Dimenciones: 17.5mm de largo x 5mm de ancho x 3.6mm de alto.
Contenido:
100 x transistor 2N2222A NPN
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