transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A

Descripción: 

Es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N, capaz de manejar hasta 600 voltios y una corriente de hasta 1 amperio. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastos electrónicos, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.

Características: 

Tipo de dispositivo: MOSFET canal N                    

Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V

Corriente de drenaje continua (ID): 1 A

Voltaje compuerta-fuente (VGS): +/-30 V

Potencia de disipación (PD): 2 W (aprox.)

Tiempo de subida / bajada: 50 ns / 40 ns

Encapsulado: TO-92

Estilo de montaje: THT (orificio pasante)

Rango de temperatura operación: -55 °C a +150 °C