Descripción:
Es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N, capaz de manejar hasta 600 voltios y una corriente de hasta 1 amperio. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastos electrónicos, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
Características:
Tipo de dispositivo: MOSFET canal N
Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
Corriente de drenaje continua (ID): 1 A
Voltaje compuerta-fuente (VGS): +/-30 V
Potencia de disipación (PD): 2 W (aprox.)
Tiempo de subida / bajada: 50 ns / 40 ns
Encapsulado: TO-92
Estilo de montaje: THT (orificio pasante)
Rango de temperatura operación: -55 °C a +150 °C
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Kit de talador inalámbrico para desbastes 3 velocidades
Enchufe Cargador de Coche Dual USB 12V-24V
Fuente conmutada de 24V de 2A-20A
*NOTA: Algunas fuentes de energía incluyen un potenciómetro para ajustar el mínimo de voltaje de salida. No regularlo a un voltaje mayor a 1V, de lo contrario el equipo se puede dañar.
Medidor de corriente y voltaje externo para riel YHC45-2042VA
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Tarjeta amplificadora de audio TDA7297 DIY
Fuente de energía de 8.4V de 1A o 2A.
Escoger un valor:
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
