Descripción:
Es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N, capaz de manejar hasta 600 voltios y una corriente de hasta 1 amperio. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastos electrónicos, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
Características:
Tipo de dispositivo: MOSFET canal N
Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
Corriente de drenaje continua (ID): 1 A
Voltaje compuerta-fuente (VGS): +/-30 V
Potencia de disipación (PD): 2 W (aprox.)
Tiempo de subida / bajada: 50 ns / 40 ns
Encapsulado: TO-92
Estilo de montaje: THT (orificio pasante)
Rango de temperatura operación: -55 °C a +150 °C
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
