Descripción:
Es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N, capaz de manejar hasta 600 voltios y una corriente de hasta 1 amperio. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastos electrónicos, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
Características:
Tipo de dispositivo: MOSFET canal N
Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
Corriente de drenaje continua (ID): 1 A
Voltaje compuerta-fuente (VGS): +/-30 V
Potencia de disipación (PD): 2 W (aprox.)
Tiempo de subida / bajada: 50 ns / 40 ns
Encapsulado: TO-92
Estilo de montaje: THT (orificio pasante)
Rango de temperatura operación: -55 °C a +150 °C
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
