Descripción:
Es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N, capaz de manejar hasta 600 voltios y una corriente de hasta 1 amperio. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastos electrónicos, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
Características:
Tipo de dispositivo: MOSFET canal N
Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
Corriente de drenaje continua (ID): 1 A
Voltaje compuerta-fuente (VGS): +/-30 V
Potencia de disipación (PD): 2 W (aprox.)
Tiempo de subida / bajada: 50 ns / 40 ns
Encapsulado: TO-92
Estilo de montaje: THT (orificio pasante)
Rango de temperatura operación: -55 °C a +150 °C
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
