Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) presenta una construcción de trinchera robusta y rentable, y proporciona un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación exigentes, ofreciendo tanto voltaje de estado bajo como pérdida de conmutación mínima.
Características
• Optimizado para VCEsat muy bajo
• La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de energía del sistema
• Capacidad de cortocircuito de 5 s
• Estos son dispositivos libres de Pb
Aplicaciones Típicas
• Inversores solares
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
• Accionamientos de motor
Transistor de potencia epitaxial de silicio TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Transistores Darlington TIP
Transistor de Potencia NPN BUV48A (TO-247)
Transistor de Potencia Bipolar Toshiba 2SC5570 NPN 28A 800V (TO-3P)
El circuito Integrado TDA2822 es un amplificador de potencia doble, monolítico que está diseñado para ser usado como amplificador de potencia de audio dual en casete portátil, juegos y radio.
Transistor de Potencia NJW0281G NPN 250V 15A (TO-3P)
Controlador de carga MCP73831T-2ATI/OT
Transistor de Potencia Bipolar Toshiba 2SC5570 NPN 28A 800V (TO-3P)
Mini Placa De Pruebas 170 puntos
Thermal pad Almohadilla conductora de calor 40x40x1MM
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Resistencias 1/8W (10 unidades)
Led superbrillante SMD 5730 (10 Unidades)
Conector para faja de cámara 12 Pines o 15 Pines, 1.0mm FFC FPC
Amplificador operacional LM358 ganancia 100 veces
Diodo de tres colores, Rojo, verde, Azul de 5mm (10 unidades) y 10mm (5 unidades)
Cargador de batería de litio 7S 29.4V 4.2V 18650
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
