Caracteristicas:
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Complementa al NTE123AP
Tiempo de encendido de 100ns
Tiempo de apagado de 400ns
Resistencia térmica de unión a carcasa de 83.3°C/W
200°C/W Resistencia térmica de unión al ambiente
Especificaciones:
ransistor, Polaridad: PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo: 40V
Corriente de Colector DC: 600mA
Disipación de Potencia Pd: 625mW
Montaje de Transistor: Agujero Pasante
Diseño de Transistor: TO-92
Frecuencia de Transición ft: 150MHz
Núm. de Contactos: 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Ganancia de Corriente DC hFE: 50hFE
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Unlimited
Aplicaciones
Audio, Industrial
Conteniodo:
1 x Transistor
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Motor paso a paso de 5V y tarjeta controladora.
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
