Descripción:
IRF9Z34N está diseñado para aplicaciones de alta corriente, con una máxima tensión drenador-fuente de 55V, una corriente de drenador continua de 19A y una máxima disipación de potencia de 56W. El IRF9Z34N está disponible en un encapsulado TO-220, lo que facilita su montaje en una placa de circuito impreso.
Características.
Tensión máxima drenador-fuente: 55 V
Corriente continua de drenador: 19 A
Disipación máxima de potencia: 56 W
Tensión umbral de puerta: -4 V
Resistencia en conducción (encendido): 0.10 Ω
Velocidad de conmutación: Rápida
Clasificación de avalancha: Totalmente clasificado para avalancha
Encapsulado: TO-220
Rango de temperatura de operación: -55 a 175 °C
Incluye:
1x transistor F9Z34N
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor MOSFET IRF740PBF
Semiconductor transistor 2SA1494
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
transistor F9Z34N
