Descripción:
IRF9Z34N está diseñado para aplicaciones de alta corriente, con una máxima tensión drenador-fuente de 55V, una corriente de drenador continua de 19A y una máxima disipación de potencia de 56W. El IRF9Z34N está disponible en un encapsulado TO-220, lo que facilita su montaje en una placa de circuito impreso.
Características.
Tensión máxima drenador-fuente: 55 V
Corriente continua de drenador: 19 A
Disipación máxima de potencia: 56 W
Tensión umbral de puerta: -4 V
Resistencia en conducción (encendido): 0.10 Ω
Velocidad de conmutación: Rápida
Clasificación de avalancha: Totalmente clasificado para avalancha
Encapsulado: TO-220
Rango de temperatura de operación: -55 a 175 °C
Incluye:
1x transistor F9Z34N
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor NPN BC547 TO-92
transistor F9Z34N
