Descripción:
IRF9Z34N está diseñado para aplicaciones de alta corriente, con una máxima tensión drenador-fuente de 55V, una corriente de drenador continua de 19A y una máxima disipación de potencia de 56W. El IRF9Z34N está disponible en un encapsulado TO-220, lo que facilita su montaje en una placa de circuito impreso.
Características.
Tensión máxima drenador-fuente: 55 V
Corriente continua de drenador: 19 A
Disipación máxima de potencia: 56 W
Tensión umbral de puerta: -4 V
Resistencia en conducción (encendido): 0.10 Ω
Velocidad de conmutación: Rápida
Clasificación de avalancha: Totalmente clasificado para avalancha
Encapsulado: TO-220
Rango de temperatura de operación: -55 a 175 °C
Incluye:
1x transistor F9Z34N
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Semiconductor transistor 2SA1494
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
PM2018A Amperímetro Digital Multímetro Amperímetro AC / DC Voltaje Ohmímetro Probetas de prueba
transistor F9Z34N
