Descripción:
IRF9Z34N está diseñado para aplicaciones de alta corriente, con una máxima tensión drenador-fuente de 55V, una corriente de drenador continua de 19A y una máxima disipación de potencia de 56W. El IRF9Z34N está disponible en un encapsulado TO-220, lo que facilita su montaje en una placa de circuito impreso.
Características.
Tensión máxima drenador-fuente: 55 V
Corriente continua de drenador: 19 A
Disipación máxima de potencia: 56 W
Tensión umbral de puerta: -4 V
Resistencia en conducción (encendido): 0.10 Ω
Velocidad de conmutación: Rápida
Clasificación de avalancha: Totalmente clasificado para avalancha
Encapsulado: TO-220
Rango de temperatura de operación: -55 a 175 °C
Incluye:
1x transistor F9Z34N
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
transistor F9Z34N
