Descripción:
El EVM31-050A es un módulo de transistor de potencia de Fuji Electric, ampliamente utilizado en la industria de la electrónica de potencia.
Con su alta ganancia de corriente, puede usarlo en cualquier sistema de diseño que requiera alta potencia.
Junto con sus aplicaciones de alta potencia, los componentes internos están aislados entre sí, lo que significa que no hay posibilidad de cortocircuito interno de los componentes, independientemente de las condiciones de carga.
Esta parte también proporciona estabilidad y protección en caso de picos de voltaje debido a la carga conectada o debido a una disminución en el suministro entrante, gracias a la estructura de diodo de rueda libre provista.
Parámetros:
Aquí mencionamos algunos parámetros importantes del modelo IC EVM31-050A. Para obtener información completa, consulte la hoja de datos de EVM31-050A
VCBO Voltaje máximo permitido en la unión de la base del colector 600(ICBO = 1mA) V
VCEO Voltaje máximo permitido en la unión del emisor del colector 600(ICEO = 1mA) V
VEBO Voltaje máximo permitido en la unión de la base del emisor 6(IEBO = 100mA) V
OCCI Colector - Corriente de corte base 1,0 (VCBO = 600 V) mA
IEBO Emisor - Corriente de corte base 100(VEBO =6V) mA
VCE(SAT) Voltaje de saturación del emisor del colector 2,0 (CI = 150A, IB = 4A) V
VBE(SAT) Voltaje de saturación del emisor base 2,5 (CI = 150A, IB = 4A) V
HFE DC ganancia de corriente 70(IC=150A,VCE=5V) N / A
Aplicación tipica:
El módulo EVM31-050A se utiliza básicamente en aplicaciones donde se necesitan requisitos de alta potencia. Tenga en cuenta que esto solo se puede utilizar en cargas inductivas. Algunas de las áreas donde se puede utilizar son:
- Circuitos de control de motores (tanto CA como CC)
- Diseño de circuito de fuente de alimentación ininterrumpida (UPS)
Referencias específicas
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
