Caracteristicas:
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 400 V
Id - Corriente de drenaje continua: 10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 550 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Qg - Carga de puerta: 63 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia: 125 W
Modo canal: Mejora
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 15,49 mm
Longitud: 10,41 mm
Serie: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Ancho: 4,7 mm
Transconductancia hacia delante - Mín .: 5,8 S
Tiempo de caída: 24 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 27 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Alias de las piezas n.º: IRF740PBF-BE3 SIHF740-E3
Peso de la unidad: 6 g
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Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
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Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
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Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
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