Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
L50.00
Disponibilidad:
28 En stock
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Especificaciones:
Corriente de Colector DC: 200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V
Temperatura de Union, Tj Máx.: 150°C
Terminación del IGBT: Perno
Núm. de Contactos: 7Pines
Características
• Canal N, estructura de silicio homogénea (NPT- IGBT sin perforación)
• Baja corriente de cola con baja dependencia de temperatura
• Alta capacidad de corto circuito, autolimitado si term. G está sujeto a E
• pos. coef.temp. de VCEsat
• 50 % menos pérdidas por apagado 9)
• 30 % menos de corriente de cortocircuito 9)
• Muy bajo Cies, Coes, Cres 9)
• Sin pestillos
• Diodos CAL inversos rápidos y suaves 8)
• Placa base de cobre aislada con tecnología DCB Direct Copper Bonding sin molde duro
• Gran espacio libre (13 mm) y distancias de fuga (20 mm)
Incluye:
1 x Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063D 1200V 300A
EF2L1C1 SPSE8L2
1 Artículo
Referencias específicas
- isbn
- 0003112
- upc
- 0003112
- ean13
- 0003112
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