Descripción:
Corriente máxima de drenador (Id): 29 A (Amperios)
Voltaje máximo VDSS: 55 V (Voltios)
Resistencia de canal Rdson: 0.040 Ω (Ohmios)
Encapsulado: TO-220 (Un tipo de encapsulado físico para componentes electrónicos)
Tensión Máxima de Drenador a Fuente (Vds): 55V. Esto significa que puede soportar hasta 55 voltios entre el drenador y la fuente cuando está completamente encendido.
Corriente Máxima de Drenador Continua (Id): 29A. Puede manejar corrientes de hasta 29 amperios en operación continua.
Resistencia del Canal Encendido (Rds(on)): 0.040 Ω. Esta es la resistencia que presenta el MOSFET cuando está completamente encendido.
Encapsulado: TO-220. Este es un tipo común de encapsulado para dispositivos electrónicos, que permite una fácil instalación y disipación de calor.
Incluye:
1x Transistor IRFZ34N
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor IRFZ34N
