Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Descripción:
Corriente máxima de drenador (Id): 29 A (Amperios)
Voltaje máximo VDSS: 55 V (Voltios)
Resistencia de canal Rdson: 0.040 Ω (Ohmios)
Encapsulado: TO-220 (Un tipo de encapsulado físico para componentes electrónicos)
Tensión Máxima de Drenador a Fuente (Vds): 55V. Esto significa que puede soportar hasta 55 voltios entre el drenador y la fuente cuando está completamente encendido.
Corriente Máxima de Drenador Continua (Id): 29A. Puede manejar corrientes de hasta 29 amperios en operación continua.
Resistencia del Canal Encendido (Rds(on)): 0.040 Ω. Esta es la resistencia que presenta el MOSFET cuando está completamente encendido.
Encapsulado: TO-220. Este es un tipo común de encapsulado para dispositivos electrónicos, que permite una fácil instalación y disipación de calor.
Incluye:
1x Transistor IRFZ34N
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