Descripción:
Corriente máxima de drenador (Id): 29 A (Amperios)
Voltaje máximo VDSS: 55 V (Voltios)
Resistencia de canal Rdson: 0.040 Ω (Ohmios)
Encapsulado: TO-220 (Un tipo de encapsulado físico para componentes electrónicos)
Tensión Máxima de Drenador a Fuente (Vds): 55V. Esto significa que puede soportar hasta 55 voltios entre el drenador y la fuente cuando está completamente encendido.
Corriente Máxima de Drenador Continua (Id): 29A. Puede manejar corrientes de hasta 29 amperios en operación continua.
Resistencia del Canal Encendido (Rds(on)): 0.040 Ω. Esta es la resistencia que presenta el MOSFET cuando está completamente encendido.
Encapsulado: TO-220. Este es un tipo común de encapsulado para dispositivos electrónicos, que permite una fácil instalación y disipación de calor.
Incluye:
1x Transistor IRFZ34N
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor IRFZ34N
