Epecificaciones:
Disipación total de potencia (Pd): 830 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 86 A
Temperatura operativa máxima (Tj): -55 - 150 °C
Caracteristicas:
Con embalaje TO-247
Conmutación de alta velocidad
Robustez de conmutación muy alta
Fácil de usar
100% probado contra avalanchas
Variaciones mínimas de lote a lote para un dispositivo robusto
rendimiento y operación confiable
Aplicaciones:
Etapas de PFC
Fuente de alimentación
Cambio de aplicaciones
Contenido:
1 x Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Bateria AAA Duracell 1.5V No Recargable
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
