Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores IGBT
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Paquete / Cubierta: TO-247-3
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 650 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.8 V
Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 80 A
Dp - Disipación de potencia : 283 W
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Serie: STGW40H65DFB
Máx. corriente continua Ic del colector: 40 A
Corriente de fuga puerta emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 8 g
Contenido:
1 x Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Tubo de Termocontractil (Aislante) 1mm - 100mm
Triac BTA12-600B 600V 12A (TO)
Diodo rectificador ultra fast recovery MUR3060PT 600V 30A TO-247 TO-3P
Triac Q6030LH5 600V 30A (TO)
Fusible Cerámicos 0.5-30A 250V 6x30mm
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
