Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores IGBT
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Paquete / Cubierta: TO-247-3
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 650 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.8 V
Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 80 A
Dp - Disipación de potencia : 283 W
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Serie: STGW40H65DFB
Máx. corriente continua Ic del colector: 40 A
Corriente de fuga puerta emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 8 g
Contenido:
1 x Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Transistor Darlington NPN de 7 elementos ULN2004AN
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Triac Q6030LH5 600V 30A (TO)
Fusible Cerámicos 0.5-30A 250V 6x30mm
1 W vatios Resistencia de película de carbono 1W 5%
Resistencia Filamento de Carbón, Elige un set de 10 unidades
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
