Función:
resplandor de prueba, el aislamiento optoelectrónico, photocoupling, sin contacto para poner a prueba la velocidad giratoria etc.
Especificación:
Fototransistor de silicio NPN
Modelo: 3DU5C
Voltaje de trabajo (máx.): 10V
Voltaje de ruptura inversa: 15V
Corriente oscura: 0.3uA
Fotocorriente: 0.5-1mA
Consumo de energía: 30mW
Longitud de onda máxima: 880nM
Tamaño del cuerpo: 7 x 5 mm / 0.28 "x 0.2" (L * D)
Longitud total: 28 mm / 1.1 "
Material externo: metal
Peso: 3g
Contenido:
1 x Fototransistor NPN 3DU5C
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Semiconductor transistor 2SC3858
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Resistencias de Filamento de Carbon 1/4W (10 Unidades)
Escoger un valor:
Set de 5 capacitores ceramicos menores a 25V 1 valor (5U)
NE555P IC 555 TEXAS INSTRUMENTS DIP-8 Timer Chip NE555
Manguera Flexible 1/4 x 5/16 pulgadas - 1 Metro
Bomba sumergible silenciosa Bomba de agua mini-miniatura Refrigeración por agua de la computadora DC3V 5V Puede ser cargador de teléfono móvil o unidad USB
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
