Función:
resplandor de prueba, el aislamiento optoelectrónico, photocoupling, sin contacto para poner a prueba la velocidad giratoria etc.
Especificación:
Fototransistor de silicio NPN
Modelo: 3DU5C
Voltaje de trabajo (máx.): 10V
Voltaje de ruptura inversa: 15V
Corriente oscura: 0.3uA
Fotocorriente: 0.5-1mA
Consumo de energía: 30mW
Longitud de onda máxima: 880nM
Tamaño del cuerpo: 7 x 5 mm / 0.28 "x 0.2" (L * D)
Longitud total: 28 mm / 1.1 "
Material externo: metal
Peso: 3g
Contenido:
1 x Fototransistor NPN 3DU5C
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
