Descripción:
Es un dispositivo semiconductor de alta velocidad, ampliamente utilizado en aplicaciones de potencia debido a su eficiencia y capacidad de manejar altos voltajes y corrientes. Los IGBT combinan las ventajas de los transistores bipolares (alto voltaje y corriente) y los MOSFET (alta velocidad de conmutación y bajo consumo en la compuerta), lo que los hace ideales para aplicaciones como inversores, controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas y más.
Características:
Voltaje máximo de colector-emisor (Vce): 600V
Corriente de colector (Ic): 40A
Tipo: N-channel IGBT
Caída de voltaje en saturación (Vce(on)): Aproximadamente 2.3V a 40A
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad, adecuada para frecuencias de hasta 20-30 kHz en aplicaciones de conmutación.
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-247, lo que permite una mejor disipación de calor.
Tiempo de conmutación rápido: Menos de 200 ns para tiempos de encendido y apagado.
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
