Descripción:
Es un dispositivo semiconductor de alta velocidad, ampliamente utilizado en aplicaciones de potencia debido a su eficiencia y capacidad de manejar altos voltajes y corrientes. Los IGBT combinan las ventajas de los transistores bipolares (alto voltaje y corriente) y los MOSFET (alta velocidad de conmutación y bajo consumo en la compuerta), lo que los hace ideales para aplicaciones como inversores, controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas y más.
Características:
Voltaje máximo de colector-emisor (Vce): 600V
Corriente de colector (Ic): 40A
Tipo: N-channel IGBT
Caída de voltaje en saturación (Vce(on)): Aproximadamente 2.3V a 40A
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad, adecuada para frecuencias de hasta 20-30 kHz en aplicaciones de conmutación.
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-247, lo que permite una mejor disipación de calor.
Tiempo de conmutación rápido: Menos de 200 ns para tiempos de encendido y apagado.
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor NPN BC547 TO-92
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
capacitor de tantalio 16V 4.7uf/22uf
Memoria usb 3.0 Digital DataTraveler SE9 32/64/128GB
15A 6V-90V Modulador de ancho de pulso PWM Stepless DC Motor Speed Controller
Capacitores cerámicos 0 - 50V 10pf-10uf 1 Valor (5U)
Reguladores de voltaje L7805 - LM317
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
