Especificaciones:
Número de Parte: IRF6218
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Caracteristicas:
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de compuerta (Qg): 71 nC
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
