Especificaciones:
Número de Parte: IRF6218
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Caracteristicas:
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de compuerta (Qg): 71 nC
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Lm3915n-1 Driver controlador (Vumetro)
