Especificaciones:
Los dispositivos DAWINíS IGBT 7DM-2 Package están optimizados para reducir las pérdidas y ruido de conmutación en sistemas eléctricos de acondicionamiento de energía de alta frecuencia. Estos módulos IGBT son ideales para inversores de potencia, accionamientos de motores y otras aplicaciones donde las pérdidas de conmutación son una parte significativa del pérdidas totales.
Características:
Tipo de canal N
Configuración Doble
Voltaje típico de saturación del emisor del colector (V) 2.1
Voltaje máximo colector-emisor (V) 600
Disipación de energía máxima (mW) 833000
Voltaje máximo del emisor de puerta (V) ± 20
Corriente continua máxima del colector (A) 375
Corriente máxima de fuga del emisor de puerta (uA) 0,1
Temperatura mínima de funcionamiento (° C) -40
Temperatura máxima de funcionamiento (° C) 150
Aplicaciones:
Accionamientos de motor, inversores de alta potencia, máquina de soldar, calentamiento por inducción, UPS, CVCF, robótica, servocontroles, SMPS de alta velocidad.
Incluye:
1 x
Referencias específicas
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
