- Inicio
-
Productos
add remove
BATERIAS. FUENTES Y CARGADORES
add removeHERRAMIENTAS
add removePLACAS ELECTRONICAS
add removeENERGIAS RENOVABLES
add removeELECTRONICA INDUSTRIAL
add remove - Tiendas
- Contactanos
- Sobre Nosotros add remove
- Tutoriales
- Inicio
-
Productos
add remove
BATERIAS. FUENTES Y CARGADORES
add removeHERRAMIENTAS
add removePLACAS ELECTRONICAS
add removeENERGIAS RENOVABLES
add removeELECTRONICA INDUSTRIAL
add remove - Tiendas
- Contactanos
-
Sobre Nosotros
add remove
- Tutoriales
Especificaciones:
Los dispositivos DAWINíS IGBT 7DM-2 Package están optimizados para reducir las pérdidas y ruido de conmutación en sistemas eléctricos de acondicionamiento de energía de alta frecuencia. Estos módulos IGBT son ideales para inversores de potencia, accionamientos de motores y otras aplicaciones donde las pérdidas de conmutación son una parte significativa del pérdidas totales.
Características:
Tipo de canal N
Configuración Doble
Voltaje típico de saturación del emisor del colector (V) 2.1
Voltaje máximo colector-emisor (V) 600
Disipación de energía máxima (mW) 833000
Voltaje máximo del emisor de puerta (V) ± 20
Corriente continua máxima del colector (A) 375
Corriente máxima de fuga del emisor de puerta (uA) 0,1
Temperatura mínima de funcionamiento (° C) -40
Temperatura máxima de funcionamiento (° C) 150
Aplicaciones:
Accionamientos de motor, inversores de alta potencia, máquina de soldar, calentamiento por inducción, UPS, CVCF, robótica, servocontroles, SMPS de alta velocidad.
Incluye:
1 x
Referencias específicas
- isbn
- 0002854
- upc
- 0002854
- ean13
- 0002854
Descargas
Su agradecimiento a la reseña no pudo ser enviado
Reportar comentario
Reporte enviado
Su reporte no pudo ser enviado
Escriba su propia reseña
Reseña enviada
Su reseña no pudo ser enviada
16 otros productos en la misma categoría:
TRANSISTOR CANAL N MOSFET IRF740 TO-220 400V 10A
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor de Potencia NJW0302G PNP 150W (TO-3P)
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistores NPN, PNP 15 valores (Caja 300 unidades)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistores Tipo NPN o PNP 1 valor (5 unidades)
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050A 600V 50A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de Potencia IGBT G50N60 600V 50A (TO-3PL)
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Semiconductor transistor 2SA1494
Semiconductor transistor 2SA1494
Los clientes que adquirieron este producto también compraron:
Transistor MOSFET IRFZ44N (TO)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE