Número de Parte: FQP30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total de potencia (Pd): 79 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V
Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 19 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Incluye:
1x Transistor Mosfet de potencia FQP30N06L
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor NPN BC547 TO-92
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Set de 5 capacitores ceramicos menores a 25V 1 valor (5U)
Resistencias de Filamento de Carbon 1/4W (10 Unidades)
Escoger un valor:
Diodo rectificador ultra fast recovery MUR3060PT 600V 30A TO-247 TO-3P
Separador y cortador de alambre 5021 desmontaje
Amplificador operacional Dual LM358P DIP8 LM358 LM358Nl Op Amp
Interruptor de palanca 2 posiciones ASW-15D 3P 12V 20A con luz verde
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
