Descripción:
Tipo: NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
Disipación de Potencia Máxima: 100 W
Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 180
Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-3P
Incluye:
1x Transistor C3856
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Trasistor C3855
