Descripción:
Tipo: NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
Disipación de Potencia Máxima: 100 W
Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 180
Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-3P
Incluye:
1x Transistor C3856
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Pasta Térmica Disipadora de Calor 02-SIL302
Trasistor C3855
