Descripción:
Tipo: NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
Disipación de Potencia Máxima: 100 W
Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 180
Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-3P
Incluye:
1x Transistor C3856
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Pasta Térmica Disipadora de Calor 02-SIL302
Trasistor C3855
