Descripción:
El TTC5200Q es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que requieren amplificación o conmutación de grandes corrientes y voltajes. Este transistor es comúnmente utilizado en amplificadores de audio de alta potencia, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.
Características:
Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Corriente CC máxima de colector: 15 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 230 V
Tensión VCBO colector-base: 230 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3 V
Dp - Disipación de potencia: 150 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
Temperatura de trabajo mínima: No especificado
Temperatura de trabajo máxima: +150°C
Serie: TTC5200
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Semiconductor transistor 2SA1494
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Modulo Rele de 1-8 Canales de 30A 5V y 12V
Transistor bipolar TTC5200Q
