Descripción:
El TTC5200Q es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que requieren amplificación o conmutación de grandes corrientes y voltajes. Este transistor es comúnmente utilizado en amplificadores de audio de alta potencia, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.
Características:
Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Corriente CC máxima de colector: 15 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 230 V
Tensión VCBO colector-base: 230 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3 V
Dp - Disipación de potencia: 150 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
Temperatura de trabajo mínima: No especificado
Temperatura de trabajo máxima: +150°C
Serie: TTC5200
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Semiconductor transistor 2SC3858
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor bipolar TTC5200Q
