Descripción:
El TTC5200Q es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que requieren amplificación o conmutación de grandes corrientes y voltajes. Este transistor es comúnmente utilizado en amplificadores de audio de alta potencia, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.
Características:
Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Corriente CC máxima de colector: 15 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 230 V
Tensión VCBO colector-base: 230 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3 V
Dp - Disipación de potencia: 150 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
Temperatura de trabajo mínima: No especificado
Temperatura de trabajo máxima: +150°C
Serie: TTC5200
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Modulo Rele 12V 10A1 o 4 canales
Escoger un tipo:
Transistor bipolar TTC5200Q
