Especificaciones:
Categoria de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Agujero pasante
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: P-Channel
Número de canales: 1 Canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V
Id - Corriente de drenaje continuo: 31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Qg - Carga de puerta: 42 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura máxima de trabajo: + 175 C
Dp - Disipación de potencia : 110 W
Modo canal: mejora
Marca: Infineon / IR
Configuración: Individual
Tiempo de caída: 63 ns
Altura: 15,65 mm
Longitud: 10 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 66 ns
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal P
Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Ancho: 4,4 mm
Peso de la unidad: 2 g
Referencias específicas
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
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Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
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Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
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