Descripción:
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
Aplicaciones: Control de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo.
Características:
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 18 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Resistencia de activación Rds(on): 0.15 ohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 150 W
Temperatura de operación máxima: 175°C
Encapsulado: TO-220, 3 pines
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Pasta térmica dorada 20 gramos HM706
Amplificador de audio TDA7293V 100W, 120V, 100W, clase AB DMOS
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Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
