Descripción:
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
Aplicaciones: Control de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo.
Características:
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 18 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Resistencia de activación Rds(on): 0.15 ohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 150 W
Temperatura de operación máxima: 175°C
Encapsulado: TO-220, 3 pines
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Amplificador de audio TDA7293V 100W, 120V, 100W, clase AB DMOS
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
