Polaridad de transistor: NPN
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 480 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Empaquetado / Estuche: TO-3PN
Complementario a A1941
Incluye:
1 x Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Referencias específicas
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
FUENTE DE ENERGIA PARA GRABADORA Y CORTADORA LASER 40W CO2
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
