Descripcion:
El IRFP250N es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N diseñado con tecnología avanzada de compuerta para ofrecer una resistencia en encendido extremadamente baja por área de silicio. Encapsulado en un formato robusto TO-247AC, este componente proporciona una excelente disipación térmica, alta velocidad de conmutación y gran confiabilidad, lo que lo convierte en la opción ideal para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y sistemas de control de potencia industrial.
Caracteristicas:
Polaridad del Transistor: Canal N (N-Channel).
Voltaje Máximo Drenaje-Fuente (Vdss): 200V.
Corriente Continua de Drenaje (Id): 30A (a una temperatura de carcasa de 25°C).
Resistencia Máxima en Encendido Drenaje-Fuente (Rds On): 0.075 Ohmios (75 mΩ).
Disipación de Potencia Máxima (Pd): 214W (a 25°C).
Voltaje de Umbral de la Compuerta (Vgs th): 2.0V a 4.0V.
Carga de Compuerta Total (Qg): 123 nC (máxima).
BH1417 0.5W 200M Estación de radio digital PLL Módulo de transmisor de FM inalámbrico estéreo
Adaptador de Red USB 2.0 a RJ45 UGREEN 100Mbps
Interruptor KCD7 Interruptor KCD7 4 pines con luz4 pines con luz
Adaptador 3 en 1, de USB-C a USB 3.0/ HDMI/ USB-C
Conector EC5 Hembra Macho con cable
Rele controlado por una APP remotamente con conexion a wifi.
Experimento electromagnético 6 bobinas
Módulo de relé de 1 canal 5V/12V con luz indicadora
Kit de engranajes de 15 tamaños y medidas diferentes.
Placa de control de ventilador reductor de tres canales
Chasis de 4 ruedas para vehículo metálico
Capacitor para arranque de motor 6-40UF
Bomba Solar de Agua Sumergible de propela 12V 200W 1'' HSPI-12-20-2.5-200-1
Transistor MOSFET IRFP250N
