Descripcion:
El IRFP250N es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N diseñado con tecnología avanzada de compuerta para ofrecer una resistencia en encendido extremadamente baja por área de silicio. Encapsulado en un formato robusto TO-247AC, este componente proporciona una excelente disipación térmica, alta velocidad de conmutación y gran confiabilidad, lo que lo convierte en la opción ideal para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y sistemas de control de potencia industrial.
Caracteristicas:
Polaridad del Transistor: Canal N (N-Channel).
Voltaje Máximo Drenaje-Fuente (Vdss): 200V.
Corriente Continua de Drenaje (Id): 30A (a una temperatura de carcasa de 25°C).
Resistencia Máxima en Encendido Drenaje-Fuente (Rds On): 0.075 Ohmios (75 mΩ).
Disipación de Potencia Máxima (Pd): 214W (a 25°C).
Voltaje de Umbral de la Compuerta (Vgs th): 2.0V a 4.0V.
Carga de Compuerta Total (Qg): 123 nC (máxima).
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Transistor MOSFET IRFP250N
