Polaridad de transistor: PNP
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 480 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Empaquetado / Estuche: TO-3PN
Complementario a C5198
Incluye:
1 x Transistor de Potencia A1941 160V 10A (TO-3PN)
Referencias específicas
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor MOSFET IRF740PBF
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Escoger 1 valor
Fusible 250 V, 0,1 A, 0,25 A, 0,2 A, 0,5 A, 1 A, 1,5 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 8A, 10A, 12A, 15A, 20A, 15A, 20A
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
