Descripción:
IRF3205 es un transistor MOSFET por sus siglas “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, es de un 1 canal tipo N, tiene 3 pines y un encapsulado TO-220AB, con capacidad de manejar energía de 55V y 110A. El IRF3205 es un transistor de potencia, así como de alto rendimiento y baja frecuencia.
Características:
Tipo: MOSFET de canal N.
Voltaje máximo de drenaje a fuente (Vds): 55V.
Corriente máxima de drenaje (Id): 110A.
Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.008 ohmios (típico).
Rango de temperatura: -55°C a 175°C.
Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores, circuitos de amplificación y conmutación rápida.
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
