Descripción:
Es un transistor MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Este tipo de transistor se utiliza en una amplia variedad de circuitos, como reguladores de voltaje, convertidores de potencia, controladores de motores y otras aplicaciones electrónicas.
Características:
Tipo: MOSFET de canal P.
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): -100V.
Corriente máxima de drenaje (Id): -19A (con una temperatura de 25 °C).
Potencia máxima disipada (Pd): 150W.
Voltaje de compuerta (Vgs): Hasta ±20V.
Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.2 Ω (máximo, típico a Vgs = -10V).
Encapsulado: TO-220, ideal para montaje en PCB con disipadores de calor.
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Mosfet IRFB4227PBF
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Conmutador de código de marcado directo 4, 6, 8 o 10 posiciones.
Escoger un tipo:
Conector Impermeable con forma de plug Hembra-Macho AC/DC de 2 o 3 pines.
Escoger un tipo:
conector Hembra Macho JST RC
Alicate de corte para cables BAKU BK-109
Bateria Zeee 5200mah / 6000mAh 7.4V 80C 2S LiPo
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
