Descripción:
Es un transistor MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Este tipo de transistor se utiliza en una amplia variedad de circuitos, como reguladores de voltaje, convertidores de potencia, controladores de motores y otras aplicaciones electrónicas.
Características:
Tipo: MOSFET de canal P.
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): -100V.
Corriente máxima de drenaje (Id): -19A (con una temperatura de 25 °C).
Potencia máxima disipada (Pd): 150W.
Voltaje de compuerta (Vgs): Hasta ±20V.
Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.2 Ω (máximo, típico a Vgs = -10V).
Encapsulado: TO-220, ideal para montaje en PCB con disipadores de calor.
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Set de 250 Capacitores Ceramicos menores a 25V 25 valores 1pf - 100nf
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Optoacopladores FSN 4N35 Fototransistor 30V DIP6 IC
Modulo preamplificador de tono XH-A902
Comparador Análogo LM393P (PDIP)
Triac de 8 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 65 A, compuerta de alta sensibilidad
Condensador electrolítico 0.1-1000uF
Paquete de 5 Capacitor 1 valor
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
