Descripción:
El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.
Características:
Tipo: Canal N
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V
Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A
Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V
Encapsulado: TO-220
Potencia máxima disipada: 74 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor NPN BC547 TO-92
Mosfet IRFB4227PBF
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
IMPRESORA PHOTON MONO M5S PRO 14K ANYCUBIC + UNA RESINA
Cable Display port a Display port DP1.4 8K 60hz 1.5 metros
Bomba sumergible silenciosa Bomba de agua mini-miniatura Refrigeración por agua de la computadora DC3V 5V Puede ser cargador de teléfono móvil o unidad USB
Proyecto de soldadura Consola de 51 juegos DIY
Diodo emisor de luz 5mm 4 Pines 5 unidades
Soporte metálico para motor Nema 17 y Nema 23
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Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
