Descripción:
El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.
Características:
Tipo: Canal N
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V
Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A
Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V
Encapsulado: TO-220
Potencia máxima disipada: 74 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Controlador de motor lineal 2 fases
Kit de sistema de Bomba solar superficial centrifuga con controlador 750W
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
