Descripción:
El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.
Características:
Tipo: Canal N
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V
Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A
Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V
Encapsulado: TO-220
Potencia máxima disipada: 74 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Los mini medidores de nivel de sonido digitales UT353BT pueden convertir el sonido ambiental en señales eléctricas, procesar datos y mostrar los resultados en la pantalla LCD.
Convertidor de audio y video de BNC, S-video a VGA.
Extensor RJ45 macho hembra 3M/5M
Semáforo Peatonal con Botón de Cruce
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
