Descripción:
La mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia de encendido y rentabilidad. Es ideal para aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 74 W.
El IRF820 pertenece a una nueva generación de MOSFET de alta tensión que utiliza un mecanismo avanzado de balance de carga para ofrecer un rendimiento excepcional con baja resistencia de encendido y menor carga de compuerta.
Características:
Tipo de producto: MOSFET
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 500 V
Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Resistencia drenaje-fuente: 1.5 Ω
Voltaje compuerta-fuente: -20 V / +20 V
Rango de temperatura de operación: -65 °C ~ +150 °C
Disipación de potencia: 100 W
Modo de canal: Mejora (Enhancement)
Configuración: Único
Tiempo de caída: 5 ns
Tiempo de subida: 8 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 11.5 ns
Estilo de montaje: Through Hole (a través de agujero)
Encapsulado/Caja: TO-220-3
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
kits de sellado de goma para sistemas de CA
Microscopio digital BA-006 BAKU
Tablero de control de acceso RFID 12V Mhz con Tags (10 Unidades)
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
