Descripción:
La mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia de encendido y rentabilidad. Es ideal para aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 74 W.
El IRF820 pertenece a una nueva generación de MOSFET de alta tensión que utiliza un mecanismo avanzado de balance de carga para ofrecer un rendimiento excepcional con baja resistencia de encendido y menor carga de compuerta.
Características:
Tipo de producto: MOSFET
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 500 V
Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Resistencia drenaje-fuente: 1.5 Ω
Voltaje compuerta-fuente: -20 V / +20 V
Rango de temperatura de operación: -65 °C ~ +150 °C
Disipación de potencia: 100 W
Modo de canal: Mejora (Enhancement)
Configuración: Único
Tiempo de caída: 5 ns
Tiempo de subida: 8 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 11.5 ns
Estilo de montaje: Through Hole (a través de agujero)
Encapsulado/Caja: TO-220-3
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Módulo de puerto serial SPI ILI9341 240x320 SPI de 2.8 pulgadas, pantalla táctil TFT
Mini indicador de voltaje y amperaje AC50-500V 0-100A
Tiras de prueba de pH SunGrow Betta: simplemente sumerja y lea
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Alicate de corte para cables BAKU BK-109
Bateria Zeee 5200mah / 6000mAh 7.4V 80C 2S LiPo
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
