DESCRIPCIÓN
El UTC 50N06 es un dispositivo de silicio de tres terminales con corriente
capacidad de conducción de alrededor de 50A, velocidad de conmutación rápida. Bajo
resistencia en estado, clasificación de voltaje de ruptura de 60 V y máx.
voltajes de umbral de 4 voltios.
Es principalmente balasto electrónico adecuado y conmutación de baja potencia.
electrodomésticos de modo de alimentación.
CARACTERÍSTICAS
* RDS (ENCENDIDO) = 23 mΩ@VGS = 10 V
* Carga de puerta ultra baja (típica 30 nC)
* Capacitancia de transferencia inversa baja (CRSS = típico 80 pF)
* Capacidad de conmutación rápida
* 100% energía de avalancha especificada
* Capacidad mejorada de dv/dt
Contenido:
1 x Transistor
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Bateria 9V Duracell No Recargable
Resistencias de Filamento de Carbon 1/4W (10 Unidades)
Escoger un valor:
95DB 3-24V alarma zumbador electrónico largo continuo pitido Arduino piezoeléctrico
Resistencia SMD 1% 1/8W 0603
Con sus 830 puntos de inserción podrás montar diversos circuitos. Compatible con Arduino Nano y MiniPro.
Pasta térmica dorada 20 gramos HM706
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
