DESCRIPCIÓN
El UTC 50N06 es un dispositivo de silicio de tres terminales con corriente
capacidad de conducción de alrededor de 50A, velocidad de conmutación rápida. Bajo
resistencia en estado, clasificación de voltaje de ruptura de 60 V y máx.
voltajes de umbral de 4 voltios.
Es principalmente balasto electrónico adecuado y conmutación de baja potencia.
electrodomésticos de modo de alimentación.
CARACTERÍSTICAS
* RDS (ENCENDIDO) = 23 mΩ@VGS = 10 V
* Carga de puerta ultra baja (típica 30 nC)
* Capacitancia de transferencia inversa baja (CRSS = típico 80 pF)
* Capacidad de conmutación rápida
* 100% energía de avalancha especificada
* Capacidad mejorada de dv/dt
Contenido:
1 x Transistor
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Pasta térmica dorada 20 gramos HM706
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
