Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Especificaciones:
Frecuencia máxima de funcionamiento 150 MHz
Temperatura máxima de funcionamiento -55 a +150 grados C
Disipación de energía máxima 0,4 W
Número de pines 3
Modelo S9014
Voltaje colector-emisor 45 V
Incluye:
1 x Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Descargas
Su agradecimiento a la reseña no pudo ser enviado
Reportar comentario
Reporte enviado
Su reporte no pudo ser enviado
Escriba su propia reseña
Reseña enviada
Su reseña no pudo ser enviada
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Semiconductor transistor 2SA1494
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
check_circle
check_circle