Descripción:
El transistor 2SB772 es un dispositivo de tipo PNP que pertenece a la familia de transistores bipolares de unión (BJT, por sus siglas en inglés). Es un transistor de potencia media que se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): -0.4 a -1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor Darlington NPN de 7 elementos ULN2004AN
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Reguladores de voltaje L7805 - LM317
Transistor B772
