Descripción:
El transistor 2SB772 es un dispositivo de tipo PNP que pertenece a la familia de transistores bipolares de unión (BJT, por sus siglas en inglés). Es un transistor de potencia media que se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): -0.4 a -1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor B772
