Descripción:
El IRF820 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para manejar altos voltajes y corrientes moderadas. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia, como fuentes de alimentación, controladores de motores y circuitos de conversión de energía. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor, mejorando la gestión térmica.
Características:
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500 V
Corriente de drenaje (Id): 2.5 A
Encapsulado: TO-220
Resistencia de encendido (Rds(on)): 3 Ω (típico)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2-4 V
Frecuencia de operación: Hasta varios cientos de kHz
Disipación de potencia (Pd): 30 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Semiconductor transistor 2SC3858
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
