Descripción:
El IRF820 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para manejar altos voltajes y corrientes moderadas. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia, como fuentes de alimentación, controladores de motores y circuitos de conversión de energía. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor, mejorando la gestión térmica.
Características:
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500 V
Corriente de drenaje (Id): 2.5 A
Encapsulado: TO-220
Resistencia de encendido (Rds(on)): 3 Ω (típico)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2-4 V
Frecuencia de operación: Hasta varios cientos de kHz
Disipación de potencia (Pd): 30 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Mosfet IRFB4227PBF
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
