Descripción:
El IRF820 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para manejar altos voltajes y corrientes moderadas. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia, como fuentes de alimentación, controladores de motores y circuitos de conversión de energía. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor, mejorando la gestión térmica.
Características:
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500 V
Corriente de drenaje (Id): 2.5 A
Encapsulado: TO-220
Resistencia de encendido (Rds(on)): 3 Ω (típico)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2-4 V
Frecuencia de operación: Hasta varios cientos de kHz
Disipación de potencia (Pd): 30 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Semiconductor transistor 2SC3858
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
