Descripción:
El 75NF75 es un transistor MOSFET de canal N de potencia diseñado para manejar altas corrientes y tensiones. Es ideal para aplicaciones en control de motores, fuentes de alimentación conmutadas, inversores y sistemas electrónicos de potencia. Su diseño permite una alta eficiencia energética y excelente capacidad de conmutación.
Características:
Tensión de drenaje-fuente (Vds): Hasta 75 V.
Corriente de drenaje (Id): Máximo de 75 A, ideal para manejar cargas de alta corriente.
Resistencia en conducción (Rds(on)): Baja resistencia de 0.0095 ohmios, lo que minimiza las pérdidas de potencia.
Tensión de compuerta-fuente (Vgs): Rango de -20 V a +20 V.
Velocidad de conmutación: Alta velocidad de encendido y apagado, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia.
Encapsulado: TO-220, que facilita la disipación térmica y su montaje en disipadores.
Temperatura de operación: Rango de -55 °C a 175 °C, soportando condiciones extremas.
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Semiconductor transistor 2SA1494
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
