Descripción:
El IRF840PBF-BE3 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta corriente. Este tipo de dispositivo se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores, inversores y otras aplicaciones que requieren manejar altos voltajes y corrientes.
Características:
Tipo: MOSFET de canal N
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500V
Corriente de drenaje (Id): 8A
Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.85 ohmios
Disipación de potencia: 125W
Tipo de encapsulado: TO-220AB
Temperatura de operación: -55°C a +150°C
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor de potencia epitaxial de silicio TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Transistores Darlington TIP
Flip Flop Latch Tipo D 74LS373 DIP20
MOSFET IRF840PBF-BE3 500v 8A
