Descripción:
El BTW69-200 es un transistor de alta potencia diseñado para aplicaciones de control de energía en corriente alterna (AC) y corriente continua (DC). Su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes lo hace ideal para aplicaciones en controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas, sistemas de calefacción, control de iluminación y otras aplicaciones industriales donde se requiere control de alta potencia.
Características:
stado de la pieza: Activo
Voltaje de Fuera de Estado: 200 V
Voltaje de Disparador de Compuerta (Máx.): 1.5 V
Corriente de Disparador de Compuerta (Máx.): 80 mA
Voltaje en Estado Encendido (Máx.): 1.9 V
Corriente en Estado Activo (Máx.): 32 A
Corriente en Estado (Máx.): 50 A
Corriente de Retención: 150 mA
Corriente de Fuera de Estado (Máx.): 10 µA
Corriente de Pico No Repetitivo 50/60 Hz: 580 A / 610 A
Tipo de Dispositivo: SCR
Recuperación: Estándar
Temperatura de Funcionamiento: -40°C ~ 125°C
Tipo de Montaje: Orificio Pasante
Paquete / Caja (Carcasa): TOP-3
Paquete del Dispositivo del Proveedor: TOP3
Número de Producto Base: BTW69
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor Darlington NPN de 7 elementos ULN2004AN
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Semiconductor BTW69-200
