Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Descripción
El 13003 es un transistor de potencia tipo NPN utilizado principalmente en fuentes de alimentación conmutadas, controladores de iluminación y otros dispositivos electrónicos de potencia. Es conocido por ser económico y eficiente en aplicaciones de baja y media potencia.
Características:
Tipo de transistor: NPN de potencia.
Voltaje máximo colector-emisor (Vceo): 400V.
Corriente máxima de colector (Ic): 1.5A.
Ganancia de corriente (hFE): Entre 8 y 40, dependiendo de la corriente de colector.
Potencia máxima de disipación (Pd): 40W (con disipador adecuado).
Frecuencia de transición (fT): 4MHz, adecuado para aplicaciones de conmutación.
Encapsulado: TO-126, compacto y fácil de montar en disipadores de calor.
Descargas
Su agradecimiento a la reseña no pudo ser enviado
Reportar comentario
Reporte enviado
Su reporte no pudo ser enviado
Escriba su propia reseña
Reseña enviada
Su reseña no pudo ser enviada
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor 13003 TO-126
check_circle
check_circle