transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
L60.00
Disponibilidad:
30 En stock
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Descripción:
Este transistor es un dispositivo semiconductor que puede ser utilizado en aplicaciones electrónicas para amplificación de señales, conmutación y otras funciones. Cabe destacar que las especificaciones son importantes para asegurar un funcionamiento adecuado y seguro del transistor en un circuito.
Características:
Tipo de Designación: 2SC106
Material del Transistor: Silicio (Si)
Polaridad: NPN (Negativo-Positivo-Negativo)
Disipación Máxima de Potencia del Colector (Pc): 15 W (vatios)
Voltaje Máximo Colector-Base |Vcb|: 60 V (voltios)
Voltaje Máximo Colector-Emisor |Vce|: 40 V (voltios)
Voltaje Máximo Emisor-Base |Veb|: 5 V (voltios)
Corriente Máxima del Colector |Ic máx|: 2 A (amperios)
Temperatura Máxima de Operación (Tj): 150 °C (grados Celsius)
Frecuencia de Transición (ft): 50 MHz (megahertz)
Relación de Transferencia de Corriente Directa (hFE), MÍN: 8 (valor mínimo)
Incluye:
1z transistor 2SC106D
C7G3 SPSC5B8
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