Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Descripción:
Es un transistor de potencia de baja frecuencia y bajo voltaje, utilizado en una variedad de aplicaciones electrónicas. El D882 es un transistor NPN, lo que significa que está compuesto por una unión entre un semiconductor de tipo P y uno de tipo N, con una terminal emisora, una base y una colectora.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): 4 a 1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
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