Descripción:
Es un transistor de potencia de baja frecuencia y bajo voltaje, utilizado en una variedad de aplicaciones electrónicas. El D882 es un transistor NPN, lo que significa que está compuesto por una unión entre un semiconductor de tipo P y uno de tipo N, con una terminal emisora, una base y una colectora.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): 4 a 1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor D882
