MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220
Polaridad del transistor: Canal N
ID de corriente de drenaje continuo: 33A
Voltaje de fuente de drenaje Vds: 100V
En resistencia Rds (encendido): 44 mohm
Rds(on) Voltaje de prueba Vgs: 10V
Voltaje de umbral Vgs Tipo: 4V
Estilo de caja de transistores: TO-220AB
N.º de Pines: 3
Corriente, ID máx.: 33A
Temperatura actual: 25°C
Marcador: IRF540N
Temperatura máxima de potencia nominal: 25 °C
Unión a la resistencia térmica de la carcasa A: 1,1 °C/W
Espaciado de plomo: 2,54 mm
N.º de Transistores: 1
Disipación de potencia Pd: 94W
Disipación de potencia Pd: 94W
Idm de corriente de pulso: 110A
Voltaje Vds Tipo: 100V
Voltaje Vgs Max: 4V
Voltaje Vgs Rds en Medida: 10V
Incluye:
1 x
Referencias específicas
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Motor con caja reductora 6W - 15W 12V/24V
Diodos zener 28 valores 1W
Amplificador Operacional LM358 SMD (SOP-8)
Set de 5 capacitores ceramicos menores a 25V 1 valor (5U)
Diodos de señal de conmutación rápida 1N4148
Inductor Toroidal de bobina de inducción magnética 10uH - 470uH 3A
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
