MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220
Polaridad del transistor: Canal N
ID de corriente de drenaje continuo: 33A
Voltaje de fuente de drenaje Vds: 100V
En resistencia Rds (encendido): 44 mohm
Rds(on) Voltaje de prueba Vgs: 10V
Voltaje de umbral Vgs Tipo: 4V
Estilo de caja de transistores: TO-220AB
N.º de Pines: 3
Corriente, ID máx.: 33A
Temperatura actual: 25°C
Marcador: IRF540N
Temperatura máxima de potencia nominal: 25 °C
Unión a la resistencia térmica de la carcasa A: 1,1 °C/W
Espaciado de plomo: 2,54 mm
N.º de Transistores: 1
Disipación de potencia Pd: 94W
Disipación de potencia Pd: 94W
Idm de corriente de pulso: 110A
Voltaje Vds Tipo: 100V
Voltaje Vgs Max: 4V
Voltaje Vgs Rds en Medida: 10V
Incluye:
1 x
C6H4 / BE4L3C2 SPSC3B10
180 Artículos
Referencias específicas
- upc
- 0003107
- ean13
- 0003107
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