MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220
Polaridad del transistor: Canal N
ID de corriente de drenaje continuo: 33A
Voltaje de fuente de drenaje Vds: 100V
En resistencia Rds (encendido): 44 mohm
Rds(on) Voltaje de prueba Vgs: 10V
Voltaje de umbral Vgs Tipo: 4V
Estilo de caja de transistores: TO-220AB
N.º de Pines: 3
Corriente, ID máx.: 33A
Temperatura actual: 25°C
Marcador: IRF540N
Temperatura máxima de potencia nominal: 25 °C
Unión a la resistencia térmica de la carcasa A: 1,1 °C/W
Espaciado de plomo: 2,54 mm
N.º de Transistores: 1
Disipación de potencia Pd: 94W
Disipación de potencia Pd: 94W
Idm de corriente de pulso: 110A
Voltaje Vds Tipo: 100V
Voltaje Vgs Max: 4V
Voltaje Vgs Rds en Medida: 10V
Incluye:
1 x
Referencias específicas
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor MOSFET IRF740PBF
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Potenciometro de Carbon RV24YN20S B103 (10K), B503 (50K), B104 (100K), B105 (1M)
Escoger un valor:
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
