Transistor IGBT RJP63F3 TO-220F
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Transistor IGBT RJP63F3 TO-220F

L150.00
Impuestos incluidos

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descripcion:

El RJP63F3 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de silicio y canal N, diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad.

Aplicaciones Comunes:

Televisores de Plasma y LCD: Muy utilizado en las placas de potencia de pantallas Panasonic y otras marcas.

Sistemas de Potencia: Gestión de energía, convertidores DC-DC y control de motores.

Electrónica de Consumo: Circuitos de iluminación y climatización (HVAC).

Características : Puerta de trinchera y oblea delgada (Serie G6H).Empaque TO-220FL: Es un paquete aislado, lo que facilita el montaje en disipadores sin necesidad de aislantes externos adicionales en algunos casos.

Voltaje Colector-Emisor VCES: 630 V

Voltaje Puerta-Emisor VGES: 30 V o -30 V

Corriente de Colector IC: 40 A

Corriente de Colector Pico ic peak: 200 A para pulsos cortos de 10 microsegundos o menos

Disipación de Potencia PC: 30 W

Temperatura de Unión Tj: Máximo 150 grados Celsius

Temperatura de Almacenamiento Tstg: -55 a 150 grados Celsius

Voltaje de Saturación VCE sat: 1.7 V típico

Tiempo de Conmutación tf: 100 ns típico

contenido:

1 X Transistor IGBT RJP63F3  TO-220F

C6H6 SPSC5C5
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