Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Individual
máx. voltaje VCEO colector-emisor: 800 V
Tensión VCBO colector-base: 1,7 kV
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Corriente CC máxima de colector: 28 A
Dp - Disipación de potencia : 220 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 2 MHz
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Serie: 2SC5570
Marca: Toshiba
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima: 22 a 2 A, 5 V
Tipo de producto: BJTs - Transistores bipolares
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Subcategoría: Transistores
Incluye:
1 x Transistor de Potencia Bipolar Toshiba 2SC5570 NPN 28A 800V (TO-3P)
Referencias específicas
Transistor de Potencia NJW0281G NPN 250V 15A (TO-3P)
Transistor de Potencia NPN BUV48A (TO-247)
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Controlador de carga MCP73831T-2ATI/OT
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor de Potencia Bipolar Toshiba 2SC5570 NPN 28A 800V (TO-3P)
