Descripción:
Los transistores MOSFET de potencia canal N de la serie 2N60 a 20N60 son dispositivos semiconductores diseñados para manejar altas tensiones y corrientes, ideales para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
Características:
El número antes de la "N" representa la corriente máxima en amperios.
El número después de la "N" indica el voltaje máximo en drenaje a fuente (Vds) en centenas de voltios.
Tipo de MOSFET: Canal N.
Tensión de Drenaje a Fuente (Vds): 600V (para todos los modelos).
Corriente de Drenaje (Id): Varía según el modelo:
2N60: 2A
4N60: 4A
5N60: 5A
10N60: 10A
12N60: 12A
20N60: 20A
Resistencia de encendido (Rds(on)): Baja, para minimizar las pérdidas.
Frecuencia de conmutación: Ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
Diseño robusto: Alta capacidad de disipación de calor y resistencia a picos de corriente.
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Fusible Ceramico 0.1-30A 250V 5X20 MM (1U)
Resistencias de cemento de 10W de varios valores
Fusible de Vidrio de Soplado Rápido 250 V, 0,5 A, 1 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 6 A, 7A, 8A, 10A, 15A, 20A.
Escoger un valor:
TEXAS INSTRUMENTS TL072ACP Amplificador operacional, doble, 2 amplificadores, 3MHz, 13V / µs, 7V a 36V, DIP, 8Pins
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
