Transistor IGBT alta velocidad GW40V60DF 600v 40A
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Descripción:
Los transistores MOSFET de potencia canal N de la serie 2N60 a 20N60 son dispositivos semiconductores diseñados para manejar altas tensiones y corrientes, ideales para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
Características:
El número antes de la "N" representa la corriente máxima en amperios.
El número después de la "N" indica el voltaje máximo en drenaje a fuente (Vds) en centenas de voltios.
Tipo de MOSFET: Canal N.
Tensión de Drenaje a Fuente (Vds): 600V (para todos los modelos).
Corriente de Drenaje (Id): Varía según el modelo:
2N60: 2A
4N60: 4A
5N60: 5A
10N60: 10A
12N60: 12A
20N60: 20A
Resistencia de encendido (Rds(on)): Baja, para minimizar las pérdidas.
Frecuencia de conmutación: Ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
Diseño robusto: Alta capacidad de disipación de calor y resistencia a picos de corriente.
Su agradecimiento a la reseña no pudo ser enviado
Reportar comentario
Reporte enviado
Su reporte no pudo ser enviado
Escriba su propia reseña
Reseña enviada
Su reseña no pudo ser enviada
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor Darlington NPN de 7 elementos ULN2004AN
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Diodo LED infrarrojo 5mm de 940nm Emisor o Receptor (5 unidades)
Escoger un tipo:
capacitores Ceramicos 630V ( elegir dos valores) entre 0.007uf y 0.47uf
Fusible Ceramico 0.1-30A 250V 5X20 MM (1U)
Fusible de Vidrio de Soplado Rápido 250 V, 0,5 A, 1 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 6 A, 7A, 8A, 10A, 15A, 20A.
Escoger un valor:
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Resistencias de cemento de 10W de varios valores
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
check_circle
check_circle