Transistor de potencia Mosfet FQP30N06L

Número de Parte: FQP30N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total de potencia (Pd): 79 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 19 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Incluye: 
1x Transistor Mosfet de potencia FQP30N06L